SUSS MicroTec鍍膜(mó)熱(rè)板HP8
SUSS塗層機(jī)全部由德(dé)國(guó)Sternenfels廠區(qū)SUSSMicroTecSolutions生產，分為(wéi)實(shí)驗(yàn)室(shì)手動，半自(zì)動(dòng)中試(shì)，全(quán)自動(dòng)量產(chǎn)，噴霧(wù)塗層(céng)，噴(pēn)墨塗布五大產(chǎn)品(pǐn)綫，覆蓋(gài)旋(xuán)塗，噴(pēn)霧(wù)，噴墨三種(zhǒng)塗布工(gōng)藝，適(shì)配(pèi)6–12英(yīng)寸晶圓，MEMS，先進(jìn)封裝，光電(diàn)子，功率(shuài)半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)全場景。
一，產(chǎn)品(pǐn)定位(wèi)
HP8是LabSpin/RCD8匀膠(jiāo)塗(tú)層(céng)機(jī)配套(tào)專用(yòng)手(shǒu)動熱(rè)板，德(dé)國Sternenfels廠區SUSSMicroTecSolutions製(zhì)造，麵向實(shí)驗室(shì)研(yán)發(fā)，8寸及(jí)以(yǐ)下小(xiǎo)批(pī)量光刻工藝，完成(chéng)光刻(kè)膠前烘，軟(ruǎn)烘(hōng)，PEB曝光後烘(hōng)烤，PI/臨時鍵合(hé)膠(jiāo)堅(jiān)膜(mó)退(tuì)火全工(gōng)序(xù)。
適配(pèi)組合
可(kě)與LabSpin6/8旋(xuán)塗(tú)機，RCD8塗顯一體機成(chéng)套(tào)聯動，尺(chǐ)寸(cùn)，控(kòng)製係(xì)統(tǒng)統一，研發工藝完(wán)整閉環。
二，核(hé)心(xīn)基(jī)礎(chǔ)參(cān)數(shù)
基(jī)板規(guī)格
最大200mm（8英寸(cùn)）圓形晶(jīng)圓(yuán)；最(zuì)大6英寸方(fāng)形(xíng)基板；兼容薄(báo)片(piàn)，翹曲片(piàn)，碎(suì)片(piàn)試樣，SiC/GaN/玻璃襯底
溫控(kòng)區(qū)間(jiān)：室(shì)溫～250℃
溫控精(jīng)度
≤120℃：±0.5℃；120~250℃：±1%；板麵(miàn)全(quán)域溫度均(jūn)匀性≤±0.3℃
升(shēng)溫速率(shuài)：0–10℃/min綫性可調，階梯升(shēng)溫(wēn)防熱(rè)衝(chōng)擊
程序存儲：200組獨(dú)立工(gōng)藝配方(fāng)，單配(pèi)方支(zhī)持(chí)40段(duàn)溫時曲(qū)綫(xiàn)
取片結構：三點(diǎn)升降頂(dǐng)針(zhēn)，真空(kōng)吸附可(kě)選(xuǎn)，減(jiǎn)少晶圓(yuán)劃傷(shāng)
控製(zhì)：獨立彩色觸摸屏，工藝(yì)曲(qū)綫(xiàn)實時記(jì)錄，數(shù)據(jù)導出(chū)溯(sù)源(yuán)
三(sān)，核心技術(shù)與(yǔ)主要優(yōu)勢
1.綫(xiàn)圈(quān)全(quán)域加熱，無冷熱斑（核心(xīn)亮(liàng)點）
放(fàng)棄傳統單加(jiā)熱(rè)棒，底板內(nèi)嵌(qiàn)多層精密(mì)排布加熱綫圈，配合閉(bì)環PID控溫，整片基板溫(wēn)度無(wú)局部高低(dī)溫(wēn)，解決厚膠，SU-8，PI烘(hōng)烤(kǎo)不均導致的膜(mó)厚差，圖(tú)形畸變，針(zhēn)孔(kǒng)缺(quē)陷(xiàn)，工藝重復性很強。
2.全工藝(yì)覆蓋，適(shì)配各類塗層(céng)材料(liào)
一套設備覆蓋塗層(céng)全流(liú)程烘(hōng)烤(kǎo)：
光刻膠軟烘(hōng)，PEB曝(pù)光後烘(hōng)烤（決定CD綫寬精度）
SUSS塗層(céng)機厚膠(jiāo)SU-8，聚酰亞胺PI，臨時鍵(jiàn)合(hé)膠高溫堅(jiān)膜(mó)
化(huà)合(hé)物半導體，MEMS微流控(kòng)薄(báo)膜退(tuì)火(huǒ)
可(kě)搭配(pèi)選配(pèi)氮氣(qì)吹(chuī)掃(sǎo)模塊(kuài)，隔(gé)絕氧氣，適配(pèi)光敏，易氧(yǎng)化(huà)敏感(gǎn)材(cái)料；選配(pèi)近接(jiē)烘烤ProximityBake，降低(dī)熱(rè)應力，超薄晶(jīng)圓不(bù)變(biàn)形
SUSSHP8手(shǒu)動熱板(bǎn)核(hé)心主要特(tè)點(diǎn)
一，全(quán)域均(jūn)匀(yún)精(jīng)密加熱(rè)（核心工藝亮點）
多層環繞綫圈加熱(rè)結構，區(qū)別傳統單加熱(rè)棒(bàng)，板麵無(wú)熱(rè)點，冷區，整片基板受熱(rè)高度(dù)均匀(yún)；
溫(wēn)控(kòng)範圍：室(shì)溫(wēn)～250℃；≤120℃精度(dù)±0.5℃，120–250℃精度±1%，板(bǎn)麵均(jūn)匀(yún)性≤±0.3℃；
升(shēng)溫速率0–10℃/min綫(xiàn)性(xìng)可(kě)調，支(zhī)持階(jiē)梯升(shēng)溫，杜(dù)絕超薄(báo)晶圓(yuán)，厚膠(jiāo)受(shòu)熱衝擊，避免針孔，圖(tú)形偏(piān)移，膜(mó)厚(hòu)不(bù)均(jūn)缺陷(xiàn)。
二，大容(róng)量可(kě)編(biān)程工(gōng)藝係統(tǒng)，實(shí)驗可高度(dù)復現
機身可(kě)存儲(chǔ)200套獨立工藝(yì)配(pèi)方，單配(pèi)方(fāng)最(zuì)多40段(duàn)溫時分(fēn)段(duàn)程序(xù)，單(dān)步時(shí)長精確到(dào)1秒(miǎo)調節；
彩(cǎi)色(sè)觸(chù)控(kòng)屏可(kě)視化操(cāo)作，實時顯示溫(wēn)度(dù)曲綫，自動記錄(lù)，導出完整工(gōng)藝日誌，滿足(zú)研發數據(jù)溯(sù)源要(yào)求；
配方(fāng)分級(jí)權限(xiàn)管理，防止誤改參(cān)數，多人實(shí)驗工藝標(biāo)準統(tǒng)一(yī)。
三，寬(kuān)規(guī)格(gé)基板(bǎn)通(tōng)用，適配多(duō)類襯底
最(zuì)大加(jiā)工(gōng)200mm（8英寸(cùn)）圓形(xíng)晶圓(yuán)，兼容6英寸方形(xíng)基(jī)板，小片(piàn)試樣，薄片/翹(qiáo)曲晶(jīng)圓；
兼容矽(guī)，玻璃，石(shí)英，SiC/GaN，藍(lán)寶石，臨(lín)時(shí)鍵合載片等各類半(bàn)導體襯底；
標配(pèi)三點(diǎn)升降(jiàng)頂針，可(kě)選(xuǎn)真空(kōng)吸附固定(dìng)，取片不易劃傷晶圓(yuán)。
晶圓取放操作(zuò)
四(sì)，多(duō)安裝形態，配套SUSS塗層設備
三種機(jī)身版本(běn)靈活部署(shǔ)：
HP8TT：台(tái)式(shì)桌麵(miàn)款，搭配(pèi)LabSpin6/8台式(shì)匀(yún)膠機；
HP8BM：機架(jià)嵌入式，集成(chéng)RCD8塗膠(jiāo)顯影一(yī)體機(jī)；
HP8T：獨立落地(dì)立式(shì)，支持多(duō)台集群(qún)使用；
整(zhěng)機(jī)控(kòng)製(zhì)邏輯(jí)，工(gōng)藝算(suàn)法與LabSpin/RCD8互(hù)通(tōng)，研發(fā)配方(fāng)可無(wú)縫(féng)遷移(yí)至ACS量產(chǎn)塗(tú)覆(fù)平(píng)台(tái)，無需(xū)重(zhòng)復工藝驗證(zhèng)。
五，潔(jié)淨(jìng)耐用(yòng)，低維護(hù)設(shè)計
加(jiā)熱(rè)板麵(miàn)耐化學防(fáng)護(hù)塗(tú)層(céng)，光刻膠(jiāo)，溶劑(jì)殘(cán)留(liú)易擦(cā)拭(shì)清潔(jié)；
整機316L不(bù)鏽鋼腔體，全(quán)流(liú)程(chéng)ESD防靜電，適配Class10/100潔(jié)淨間(jiān)；
模(mó)塊(kuài)化(huà)腔體結(jié)構，保(bǎo)養拆卸(xiè)簡(jiǎn)單(dān)，縮短(duǎn)停機維(wéi)護時間。
SUSS MicroTec鍍(dù)膜(mó)熱(rè)板(bǎn)HP8
您的位(wèi)置：
立(lì)即咨詢
聯係(xì)電話(huà)： 
在綫咨詢(xún)
返(fǎn)回(huí)頂(dǐng)部(bù)